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4000A(400nm)栅极氧化固态剂量计

ID号:212  发布日期: 2009-09-10    截止日期: 2012-09-10  地区:西安市 浏览次数:0

仪器所在单位:

技术要求

典型数值在27°C

氧化层厚度4000A     

辐射Vth灵敏度

辐射场= 0.125 MV/cm : 灵敏度 = 0.25mV/rad
辐射场= 0 MV/cm : 灵敏度
= 0.18mV/rad
(
灵敏度在 1.5 krad(H2O),在以下读写器的配置中使用一个恒量10µA)

温度补偿

TVTC 6.4mV/°C
(
该数据出自温度27°C-100°C线性模式中的外推Vtp数值.)

线性模式中Z.T.C. 数值 ~ 1.85µA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1)

饱和模式中Z.T.C.数值 ~ 20µA
(
使用以下读写器电路配置)

预辐射剂量计的特点

阈值电压(外推) -6.9 +/- 0.3V

Vth漂移时间(秒) 1.5mV/十年

(该数据出自读写器配置强迫40µA,两个中有一个因子会增大)

氧化层击穿电压>75V

沟道漏电流 Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 2 pA

亚阈值斜率240 +/- 20 mV/十年

沟道电阻 Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.84 Mohms

北京华恒鑫达科技发展有限公司还提供深水高纯锗谱仪、蓄水池全自动水样核素活度监测系统、同轴高纯锗探测器GCD系列(液氮致冷)、平面型高纯锗探测器GPD系列(液氮致冷)、便携式高纯锗γ射线谱仪、手持式高纯锗探测器、自带铅室高纯锗谱仪、液体和气体流量核素分析的屏蔽高纯锗谱仪、移动式高纯锗谱仪(现场使用)、X γ射线高纯锗谱仪(电致冷)、流动式高纯锗谱仪、CdZn TeCdTe探测器和相关电子附件等相关产品。

联系方式

  • 联系人:魏小姐
  • 电 话:
  • 地 址:北京市石景山区玉泉路玉泉大厦711室
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